شبیه سازی دیود led

شبیه سازی نرم افزاری دیود led

شبیه سازی دیود led

جهت اجرای پروژه های نرم افزاری و آموزش نرم افزارهای تخصصی با ما تماس بگیرید

44972298

44972580

در ادامه توضیحاتی در رابطه با عمکلرد و شبیه سازی دیود led نوشته شده است .مطالعه نمایید

شبیه سازی دیود led

کدنویسی شبیه سازی دیود led

اساس عملکرد دیودهای LED یک پیوند p-n می­باشد.

با اعمال ولتاژ به این نوع دیودها، الکترون­ها از نیمه­ هادی n به نیمه­ هادی p و همچنین حفره ­ها از ناحیه p به ناحیه n جاری می­شوند

و در نتیجه جریانی از حامل­ها در قطعه برقرار می­شود.

هر LED دارای یک ناحیه فعال است که هسته اصلی ساختار LED به شمار می­رود

و بین لایه‌های n و p قرار دارد.

الکترون­ها و حفره­هایی که تحت تاثیر میدان خارجی در حال حرکت هستند، تعدادی از آن­ها در ناحیه فعال به یکدیگر برخورد کرده و بازترکیب می­شوند.

هنگامی که الکترون­های برانگیخته باند هدایت با حفره‌های باند ظرفیت بازترکیب می­شوند، فوتون­هایی با طول موجی که تابع گاف انرژی ماده است، گسیل می‌شوند.

به طور کلی در LEDها دو نوع ناحیه فعال بکار برده می­شود که عبارتند از:

چاه کوانتومی تکی (SQW)، و چاه کوانتومی چندگانه (MQW).

از طرفی LEDها براساس نوع ماده بکار رفته در آن­ها به دو دسته هم­ پیوند و فراپیوند تقسیم می­شوند.

اگر LED از یک ماده یکسان ولی با دو نیمه­ هادی با چگالی ناخالصی متفاوت ساخته شود از نوع هم ­پیوند است

و هنگامی که LED با استفاده از دو ماده با گاف انرژی متفاوت ساخته شود، از نوع فراپیوند است

و در کل یک LED فراپیوند درخشان­تر از یک LED هم ­پیوند است.

پروژه شبیه سازی دیود led

شبیه سازی دیود led

همچنین گاف انرژی نیمه­ هادی بکار رفته در LED می­تواند مستقیم و یا غیرمستقیم باشد.

در نیمه­ هادی با گاف انرژی مستقیم، یک الکترون در باند هدایت می­تواند مستقیما به یک جای خالی در باند ظرفیت برود

و اختلاف انرژی آن به صورت فوتون آزاد شود.

اما در یک نیمه­ هادی با گاف انرژی غیرمستقیم، یک الکترون در باند هدایت باید با تغییر در اندازه حرکت و صرف انرژی به نوار ظرفیت برود.

انرژی معمولا سبب ایجاد گرما در شبکه می­شود و نه ایجاد فوتون.

بنابراین، یک کریستال با گاف انرژی مستقیم می­تواند برای یک LED با روشنایی بیشتر و در عین حال تولید گرمای کمتر، استفاده شود.

همچنین عملکرد یک LED به طرز قابل ملاحظه­ای به دما وابسته است.

با افزایش دما شدت تابش LEDها کاهش می‌یابد.

این کاهش شدت تابش با توجه به چندین فاکتور وابستگی دمایی رخ می­دهد

از جمله: اتلاف حامل­ها با سدهای فراساختار، بازترکیب سطحی و بازترکیب غیرنوری با ترازهای عمیق.

لازم به ذکر است که یک پارامتر مهم در ساختار LEDها دمای پیوند می­باشد.

دمای پیوند LEDها مستقیم و یا غیرمستقیم بر بازده داخلی، ماکزیمم توان خروجی، پیک طول موج و محدوده طیفی آن­ها اثرگذار است.

به عنوان مثال، افزایش دما به کاهش ولتاژ مستقیم در منحنی I-V به علت کاهش گاف انرژی ناحیه فعال LEDها ، و همچنین کاهش مقاومت سری در دماهای بالا مرتبط است.

شبیه سازی دیود led

کدنویسی پروژه های الکترونیک در زمینه دیود led

مدلسازی و شبیه سازی نرم افزاری دیودهای led

هنگامی که جریان تحریک به LED اعمال می­شود، در پیوند LED گرما ایجاد شده

و برای حفظ درجه حرارت در حد مطلوب لازم است این گرمای پیوند از بین برود.

امروزه تکنیک ­ها و مدل­های مختلفی برای تخمین دمای پیوند دیود ارائه شده است.

شبیه سازی نرم افزاری

کدنویسی الکترونیک

کدنویسی پروژه شبیه سازی دیودهای led